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细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备,拥有多项国家专利,能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目,是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术,专注于400-3250目范围内超细粉磨加工,细度可调可控,突破超细粉加工产能瓶颈,是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势,产量高、破碎比大、成品率高,在粗粉加工方面成绩斐然。

碳化硅棒如何清洁

2020-09-06T19:09:59+00:00
  • 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎 知乎专栏

    Web将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片,对于后续的研磨和抛光至关重要。 与传统的内圆、外圆切割相比,多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的 WebMar 10, 2021  3、实验用清洗剂+SPM两步清洗法: (1)用干净的电动牙刷蘸取适量实验用清洗剂刷洗SiC单晶样品5min; (2)DI水冲洗3min,将样品表面的清洗剂冲洗干 SiC单晶的表面清洗样品 搜狐

  • 如何除掉碳化硅百度知道

    WebJul 30, 2008  首先是碳化硅的酸洗。酸洗通常是在加热的条件下用硫酸对碳化硅颗粒进行处理。其主要目的是为了去除碳化硅中的金属铁,氧化铁,镁,铝等杂质。 其次是碳化硅 Web本发明提供了一种碳化硅晶片表面清洗方法,该方法包括以下步骤:高温处理:通过对碳化硅晶片进行高温处理使得所述碳化硅晶片表面形成氧化层;酸化处理:将经过高温处理后的所述碳 碳化硅晶片表面清洗方法 百度学术

  • 碳化硅衬底晶片的清洗方法与流程 X技术

    WebApr 13, 2022  7步骤s1、将碳化硅衬底晶片浸入有机溶剂中进行超声清洗后,进行表面残余清洗; 8步骤s2、将步骤s1处理后的所述碳化硅衬底晶片浸入复合清洗剂中进 Web一次清洗 1#槽位:热的NaOH溶液去除表面切割损伤层,反应如下: Si+2NaOH+H2O =Na2SiO3+2H2 化学用品一定要按照其规定的标准贮存。 f52 设备的安全使用: 员工 单晶硅清洗工艺百度文库

  • 分析高压SiC MOSFET的鲁棒性和可靠性EDN 电子技术设计

    Web15 hours ago  在将SiC MOSFET安装到关键任务应用之前,应对其可靠性和鲁棒性进行评估。本文围绕1,200V DMOSFET技术的可靠性和鲁棒性展开,以便更好地理解系统设计的 Web碳化硅(又名:碳硅石、金钢砂或耐火砂),化学简式:sic,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕 碳化硅 知乎

  • 碳化硅衬底生长过程哔哩哔哩bilibili

    Web碳化硅衬底的制作流程包括原料合成、晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、晶片研磨、 抛光、清洗等环节,晶体生长阶段为整个流程的核心,决定了碳化硅衬底的电学性质。 这块期 Web虽然离子注入和退火的目的和传统器件制备没有什么区别,但是由于碳化硅材料的特性,退火的温度要高达1600摄氏度左右,在这么高的温度下,如何保证晶圆表面粗糙度,又要达到高的离子激活率和相对比较准确的P区形状是一个难点 。 3 针对于碳化硅MOS器件 碳化硅器件目前有什么生产难点?? 知乎

  • 碳化硅 知乎

    Web碳化硅(又名:碳硅石、金钢砂或耐火砂),化学简式:SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。 碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物,莫桑石中。 在当代C、N、B 查看全部内容 关注话题 管理 分享 百科 讨论 精华 视频 等待回答 切换为时间排序 特斯拉表示,下一代平台将减少75%的碳化硅,是吹牛还是真 WebApr 23, 2014  RCA 清洗法清洗 SiC 的机制如下:步(SPM):H 3:1的比例混合,主要用来清除样品表面的碳氢化合物;第二步(SC1):NH 1:1:5的比例混合,可以将样品表面有机层氧化溶解,使 IB IIB族的化合物发生络合反应溶解;第三步(SC2):HCl、H 按1:1:5的比例混合,主要用来除去样品表面的碱离子、以不溶氢氧化物存在的阳离子 以及留下来 SiC单晶的表面清洗和化学蚀刻研究 豆丁网

  • 单晶硅清洗工艺百度文库

    Web拉) (100 合溶液 110℃) 去除硅片 清洗硅片 进一步清 充分洁净 充分干燥 表面磷硅 表面残留 洗硅片表 硅片表面 硅片表面 玻璃 溶液 面残留液 f35二次清洗腐蚀原理: 二次清洗 因为在扩散中磷硅玻璃在较低的温度就形成了: 4 POCl3 + 3 O2 = 2 P2O5 + 6 Cl2 因此磷硅玻璃中磷可以认为部分是P2O5 ,其他是2SiO2• P2O5 或SiO2• P2O5 ,此三种成分分散 Web提拉法的原理图见图1,把熔化的 Si 放在石墨坩埚里面,使用感应法加热(热电偶),之后又放在石英容器里,通过纯氢气体作为清洁氛围。 再把作为种子的籽晶放在垂直棒的前端,再放入熔化的 Si 里面。 因为籽晶表面会吸附熔化物,在垂直棒不断缓慢旋转和提拉的过程中(大约是每个小时提拉10cm),可以长出直径比籽晶大得多的体材料晶体。 这就是俗称 半导体所用的高纯硅是如何提纯到 99% 的? 知乎

  • 硅片清洗原理与方法综述(149)solarbe文库

    Web收稿日期 1999 07 12硅片清洗原理与方法综述刘传军 赵 权 刘春香 杨洪星电子四十六所 , 天津 摘要 对硅片清洗的基本理论 、 常用工艺方法和技术进行了详细的论述 , 同时对一些常用的清洗方案进行了浅析 , 并对硅片清洗的重要性和发展前景作了简单论述 。Web本发明涉及一种碳化硅 (SiC)半导体的清洗方法,更特别地是涉及一种清洗在具有氧化膜的半导体器件中采用的SiC半导体的方法。 背景技术 : 在制造半导体器件的方法中,常规上,进行清洗以去除附着于表面的任何附着物。 例如,在日本专利申请特开No43M334 (专利文献1)和日本专利申请特开 No 6 (专利文献2)中公开了这类清洗方法的技术。 专利 碳化硅半导体的清洗方法 X技术

  • SiC发光特性及其调控研究进展

    WebSep 25, 2015  碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表材料,具有禁带宽度大、热导率高和临界击穿电场高等特点,所制备的光电器件在高温、强辐射等极端、恶劣条件下有巨大的应用潜力。本文综述了国内外SiC发光性质的研究现状,介绍SiC发光的实际应用,阐述了单晶、纳米晶和薄膜不同形态SiC的制备方法及发光 WebSep 9, 2020  三、碳化硅的用途:1、磨料主要是因为碳化硅具有很高的硬度,化学稳定性和一定的韧性,所以碳化硅能用于制造固结磨具、涂附磨具和自由研磨,从而来加工玻璃、瓷、石材、铸铁及某些非铁金属、硬质合金、钛合金、高速钢刀具和砂轮等。 绿碳化硅具较高的硬度和一定的韧性;多用于磨加工光学玻璃、硬质合金、钛合金以及轴承钢的研磨抛 1碳化硅加工工艺流程图 豆丁网

  • 菜鸟动手清洁相机CCD百度经验

    WebSep 30, 2011  打开相机的手动清洁模式,看到感光元件后便可以开始用刷子清洁了。 说明书上说到,只要来回刷两次,基本能清理走全部灰尘。 刷完之后,需要用到压缩空气把刷子上的灰尘吹走,以防下次清洁时把灰尘再次带到低通滤镜上。 正离子刷使用方便,无需太多的技巧。 不过刷子对于油脂性灰尘的清理能力较弱,如果刚好遇到这类型的灰尘,恐怕 WebJan 13, 2022  晶棒切割: 使用切割设备将碳化硅晶体切割成厚度不超过1mm的薄片。 晶片研磨: 通过配比好的研磨液将晶片研磨到所需的平整度和粗糙度。 晶片抛光: 通过配比好的抛光液对研磨片进行机械抛光和化学抛光,用来消除表面划痕、 降低表面粗糙度及消除加工应力等。 晶片检测: 检测碳化硅晶片的微管密度、结晶质量、表面粗糙度、电阻率、翘 中金 碳化硅材料:乘碳中和之东风,国内厂商奋起直追新浪财

  • 碳化硅MSDS用途密度碳化硅CAS号【409212】化源网

    WebJan 2, 2023  碳化硅用途 由于其高热稳定性及高强度、高热传导性等特性,广泛应用于原子能材料、化学装置、高温处理、电加热原件及电阻器等中。 用于磨料、磨具、高级耐火材料、精细陶瓷。 用于磨料、耐磨剂、磨具、高级耐火材料,精细陶瓷。 用作树脂、金属等 WebJun 23, 2015  对Si 3N4结合SiC材料在含氯气氛下的腐蚀研 究表明[33],氯气导致Si 3N4 结合SiC材料的活性腐 蚀,腐蚀程度相当严重,l000C/24h后材料减重30 mg/cm2不过比SiC在含氯气氛中的腐蚀程度(在 l000C腐蚀5h失重达到l20mg/cm2 左右)要轻, 这主要是由于Si 3N4抗氧化能力和抗 碳化硅(SiC)基材料的高温氧化和腐蚀 豆丁网

  • 碳化硅MOSFET制造后炉前清洗的湿处理 哔哩哔哩

    WebNov 29, 2021  引言 碳化硅(sic)器件制造技术与硅制造有许多相似之处,但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度,所有这些都可以在清洁关键表面方面发挥作用。这项工作将100毫米或150毫米4h碳化硅晶片经过汞探针电容电压(mcv)绘图