细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
炭化硅生产设备
2022-05-16T05:05:59+00:00
中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破 知乎
网页2023年4月19日 图：中电科48所SiC外延生长设备 碳化硅外延生长炉，主要用于在碳化硅晶圆衬底上生长同质外延材料，每一颗碳化硅芯片都是基于外延层制造的结晶。48所技术专家表示，碳化硅外延生长炉是承接衬底和芯片制造的关键环节，直接影响芯片的等级和良率。网页2020年10月21日 2芯片制造和芯片封装关键设备 碳化硅外延炉 化学气相沉积(CVD)是目前生长碳化硅外最常用的生长设备，采用硅烷(SiH4) 和(C3Hg)分别作为硅源和碳源，在衬底表面化学反应生成高质量的碳化硅外延层。首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做
碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
网页碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈 在高性能和低能耗半导体器件驱动下，半导体材料经历四次更迭。 半导 体材料是制造半导体 网页2021年10月15日 泰科天润总部坐落于北京，在北京和湖南分别拥有4英寸和6英寸碳化硅半导体工艺晶圆生产线。据泰科天润近日发布消息，目前生产线已通线，进入试生产阶段，工艺设备调通，投片40工程批次以上，综合良率90%以上，预计9月份完成可靠性实验，批量化出 本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ 知乎专栏
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
网页在外延设备方面，晶盛机电表示，公司生产的SiC碳化硅外延设备 为公司独立研发设计和生产制造，核心技术均拥有独立的知识产权，目前已实现批量销售。 季华实验室也在4月表示，由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延装备 网页2020年12月8日 目前全球95%以上的半导体元件，都是以代半导体材料硅作为基础功能材料，不过随着电动车、5G等新应用兴起，硅基半导体受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，因此以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎
网页2021年12月16日 2碳化硅单晶的切片作为碳化硅单晶加工过程的道工序，切片的性能决定了后续薄化、抛光的加工水平。切片加工易在晶片表面和亚表面产生裂纹，增加晶片的破片率和制造成本，因此控制晶片表层裂纹损伤，对推动碳化硅器件制造技术的发展具有重要意义。网页2022年1月4日 投资不易，同志仍需努力！碳化硅3个常识点 ：1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快 ！2、碳化硅目前供需情况是一片难求，核心点是上游长晶环节衬底生产慢导致 ！3、衬底在碳化硅价值占比是50%左右量，所以天岳、露笑等标的市场关注火爆！碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需
SiC发展神速设备XFab碳化硅
网页2022年8月25日 SiC发展神速 全球的器件制造商正在加强碳化硅（SiC）的制造，增长将在2024年开始真正起飞。 自特斯拉和意法半导体在Model 3中使用碳化硅以来，已经过去了近五年时间。 现在，没有人怀疑电动汽车的市场拉动力，但消费者仍然在吵着要更好的续航能 网页2023年4月25日 相关报告 晶升股份（）研究报告：长晶设备本土龙头，SiC业务打开成长空间pdf 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星pdf 中瓷电子（）研究报告：国内电子陶瓷龙头，切入碳化硅高成长赛道pdf 碳化硅行业研究：同质外延SiC需求广阔，掘金百亿高成长赛道pdf2023年晶升股份研究报告 晶体生长设备领先厂商，碳化硅
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网页在外延设备方面，晶盛机电表示，公司生产的SiC碳化硅外延设备 为公司独立研发设计和生产制造，核心技术均拥有独立的知识产权，目前已实现批量销售。 季华实验室也在4月表示，由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延装备 网页2020年12月8日 目前全球95%以上的半导体元件，都是以代半导体材料硅作为基础功能材料，不过随着电动车、5G等新应用兴起，硅基半导体受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，因此以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
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网页2021年12月16日 2碳化硅单晶的切片作为碳化硅单晶加工过程的道工序，切片的性能决定了后续薄化、抛光的加工水平。切片加工易在晶片表面和亚表面产生裂纹，增加晶片的破片率和制造成本，因此控制晶片表层裂纹损伤，对推动碳化硅器件制造技术的发展具有重要意义。网页2022年1月4日 投资不易，同志仍需努力！碳化硅3个常识点 ：1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快 ！2、碳化硅目前供需情况是一片难求，核心点是上游长晶环节衬底生产慢导致 ！3、衬底在碳化硅价值占比是50%左右量，所以天岳、露笑等标的市场关注火爆！碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志仍需
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网页2022年8月25日 SiC发展神速 全球的器件制造商正在加强碳化硅（SiC）的制造，增长将在2024年开始真正起飞。 自特斯拉和意法半导体在Model 3中使用碳化硅以来，已经过去了近五年时间。 现在，没有人怀疑电动汽车的市场拉动力，但消费者仍然在吵着要更好的续航能 网页2023年4月25日 相关报告 晶升股份（）研究报告：长晶设备本土龙头，SiC业务打开成长空间pdf 碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星pdf 中瓷电子（）研究报告：国内电子陶瓷龙头，切入碳化硅高成长赛道pdf 碳化硅行业研究：同质外延SiC需求广阔，掘金百亿高成长赛道pdf2023年晶升股份研究报告 晶体生长设备领先厂商，碳化硅
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