细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅研磨机械工艺流程
2023-09-07T11:09:48+00:00
工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
网页2020年12月8日 研磨根据工艺的不同可分为粗磨和精磨。 粗磨主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的变质层，使用粒径较大的磨粒，提高加工效率。 精磨主要是去除粗磨留下的表面损伤层，改善表面光洁度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后续的抛光，因此使用粒径较细的磨粒研磨晶片。网页2023年1月17日 ④晶体切割。使用多线切割设备，将碳化硅晶体切割成厚度不超过 1mm 的薄片。⑤晶片研磨。通过不同颗粒粒径的金刚石研磨液将晶片研磨到所需的平整度和粗糙度。⑥晶片抛光。通过机械抛光和化学机械抛光方法得到表面无损伤的碳化硅抛光片。⑦晶片 【SiC 碳化硅加工工艺流程】 知乎
碳化硅加工工艺流程 百度文库
网页碳化硅加工工艺流程 一、碳化硅的发展史： 1893年 艾奇逊 发表了个制碳化硅的专利，该专利提出了制取碳化硅的工业方法，其主要特 点是，在以碳制材料为炉芯的电阻炉中通过加热二氧化硅和碳的混合物，使之相互反应，从而生成碳化 硅，到1925年卡普伦登公司，又宣布研制成功绿碳化硅。网页2022年10月28日 碳化硅单晶衬底研磨液 研磨的目的是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。研磨根据工艺的不同可分为粗磨和精磨。碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案发展加工的表面
碳化硅 ~ 制备难点 知乎
网页2023年3月13日 而碳化硅衬底的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，主要用于去除研磨后衬底表面的损伤、进行平坦化处 理，目前较为主流的是使用化学机械抛光。外延工艺效率低：碳化硅的气相同质外延一般要在 1500℃以上的高温下进行。网页2022年3月7日 经过定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）、超精密抛光（化学机械抛光），得到碳化硅衬底。 衬底主要起到物理支撑、导热和导电的作用。 加工的难点在于碳化硅材料硬度高、脆性大、化学性质稳定，因此传统硅基加工的方式不适用于 碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎
碳化硅晶片加工过程及难点 知乎
网页2022年1月21日 4、晶体切割：使用多线切割设备，将碳化硅晶体切割成厚度不超过1mm的薄片。5、晶片研磨：通过不同颗粒粒径的金刚石研磨液将晶片研磨到所需的平整度和粗糙度。6、晶片抛光：通过机械抛光和化学机械抛光方法得到表面无损伤的碳化硅抛光片。网页2020年10月15日 背面研磨 (Back Grinding)决定晶圆的厚度 2020年10月15日 经过前端工艺处理并通过晶圆测试的晶圆将从背面研磨（Back Grinding）开始后端处理。 背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序，其目的不仅是为了减少晶圆厚度，还在于联结前端和后端工艺以解决前后两个工艺之间 背面研磨(Back Grinding)决定晶圆的厚度 SK hynix Newsroom
激光在碳化硅半导体晶圆制程中的应用 江苏沃昇半导体科技
网页2023年4月25日 激光晶圆标记应用 在碳化硅晶圆片的芯片制作过程中，为了具有芯片区分、追溯等功能，需要对每一颗芯片分别进行独一无二的条码标记。 传统芯片标记方式一般为油墨印刷或机械式针刻等，有效率低、耗材量大等缺点。 激光标记作为一种无接触式的加工 网页2018年3月14日 关于我们 东莞金研精密研磨机械制造有限公司成立于 2010 年，主要研发、生产制造、销售高精密平面研磨机、精密平面抛光机等数控设备及与其相配套的易耗品。 我们的产品广泛应用于金属、非金属（包括陶瓷、蓝宝石视窗片和衬底片、碳化硅衬底、氮化 东莞金研精密研磨机械制造有限公司
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网页2020年12月8日 研磨根据工艺的不同可分为粗磨和精磨。 粗磨主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的变质层，使用粒径较大的磨粒，提高加工效率。 精磨主要是去除粗磨留下的表面损伤层，改善表面光洁度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后续的抛光，因此使用粒径较细的磨粒研磨晶片。网页2023年1月17日 ④晶体切割。使用多线切割设备，将碳化硅晶体切割成厚度不超过 1mm 的薄片。⑤晶片研磨。通过不同颗粒粒径的金刚石研磨液将晶片研磨到所需的平整度和粗糙度。⑥晶片抛光。通过机械抛光和化学机械抛光方法得到表面无损伤的碳化硅抛光片。⑦晶片 【SiC 碳化硅加工工艺流程】 知乎
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网页碳化硅加工工艺流程 一、碳化硅的发展史： 1893年 艾奇逊 发表了个制碳化硅的专利，该专利提出了制取碳化硅的工业方法，其主要特 点是，在以碳制材料为炉芯的电阻炉中通过加热二氧化硅和碳的混合物，使之相互反应，从而生成碳化 硅，到1925年卡普伦登公司，又宣布研制成功绿碳化硅。网页2022年10月28日 碳化硅单晶衬底研磨液 研磨的目的是去除切割过程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面损伤层。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。研磨根据工艺的不同可分为粗磨和精磨。碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案发展加工的表面
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网页2023年3月13日 而碳化硅衬底的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，主要用于去除研磨后衬底表面的损伤、进行平坦化处 理，目前较为主流的是使用化学机械抛光。外延工艺效率低：碳化硅的气相同质外延一般要在 1500℃以上的高温下进行。网页2022年3月7日 经过定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）、超精密抛光（化学机械抛光），得到碳化硅衬底。 衬底主要起到物理支撑、导热和导电的作用。 加工的难点在于碳化硅材料硬度高、脆性大、化学性质稳定，因此传统硅基加工的方式不适用于 碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎
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网页2022年1月21日 4、晶体切割：使用多线切割设备，将碳化硅晶体切割成厚度不超过1mm的薄片。5、晶片研磨：通过不同颗粒粒径的金刚石研磨液将晶片研磨到所需的平整度和粗糙度。6、晶片抛光：通过机械抛光和化学机械抛光方法得到表面无损伤的碳化硅抛光片。网页2020年10月15日 背面研磨 (Back Grinding)决定晶圆的厚度 2020年10月15日 经过前端工艺处理并通过晶圆测试的晶圆将从背面研磨（Back Grinding）开始后端处理。 背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序，其目的不仅是为了减少晶圆厚度，还在于联结前端和后端工艺以解决前后两个工艺之间 背面研磨(Back Grinding)决定晶圆的厚度 SK hynix Newsroom
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网页2023年4月25日 激光晶圆标记应用 在碳化硅晶圆片的芯片制作过程中，为了具有芯片区分、追溯等功能，需要对每一颗芯片分别进行独一无二的条码标记。 传统芯片标记方式一般为油墨印刷或机械式针刻等，有效率低、耗材量大等缺点。 激光标记作为一种无接触式的加工 网页2018年3月14日 关于我们 东莞金研精密研磨机械制造有限公司成立于 2010 年，主要研发、生产制造、销售高精密平面研磨机、精密平面抛光机等数控设备及与其相配套的易耗品。 我们的产品广泛应用于金属、非金属（包括陶瓷、蓝宝石视窗片和衬底片、碳化硅衬底、氮化 东莞金研精密研磨机械制造有限公司
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网页2022年1月21日 4、晶体切割：使用多线切割设备，将碳化硅晶体切割成厚度不超过1mm的薄片。5、晶片研磨：通过不同颗粒粒径的金刚石研磨液将晶片研磨到所需的平整度和粗糙度。6、晶片抛光：通过机械抛光和化学机械抛光方法得到表面无损伤的碳化硅抛光片。网页2020年10月15日 背面研磨 (Back Grinding)决定晶圆的厚度 2020年10月15日 经过前端工艺处理并通过晶圆测试的晶圆将从背面研磨（Back Grinding）开始后端处理。 背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序，其目的不仅是为了减少晶圆厚度，还在于联结前端和后端工艺以解决前后两个工艺之间 背面研磨(Back Grinding)决定晶圆的厚度 SK hynix Newsroom
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